Tecnologia ultrassônica do pulverizador para o revestimento da célula solar
A tecnologia ultrassônica do pulverizador é usada nos ambos aplicações do silicone cristalino fotovoltaico (c-si) e do filme fino. A tecnologia ultrassônica do pulverizador quando comparada ao vapor químico a tecnologia (CVD), engasgando, revestimento da rotação, rola o revestimento e as técnicas do revestimento da névoa podem ser uns meios mais eficazes na redução de custos de depositar revestimentos do filme fino em células solares. Devido à uniformidade alta de gotas atomizadas e de sua baixa velocidade durante o processo de revestimento, altamente uniforme, camadas grossas do mícron pode ser formado no c-si e em pilhas solares finas do filme. Os benefícios adicionados do desperdício ou do overspray mínimo podem igualmente conduzir às economias materiais significativas.
A tecnologia ultrassônica do pulverizador é usada com as seguintes química:
Entorpecentes, absorventes, amortecedores, produtos orgânicos, etc.
Entorpecentes ácidos bóricos
Absorventes do cloreto do cádmio (CdTe)
Sulfureto de cádmio (CD) – camada do amortecedor usada nos CIGS, pilhas de CdTe
Absorventes de cobre do selenide do gálio do índio (CIGS ou CIS)
Absorventes de cobre do sulfureto da lata do zinco (CZTS)
A tintura sensibilizou as células solares orgânicas (DSC, DSSC ou DYSC)
P3HT
PEDOT
PCBM
Entorpecentes à base de ácido fosfóricos na formação do emissor
Pontos do quantum (QD)
O pulverizador ultrassônico de foi usado com sucesso para pulverizar uma variedade de pontos do quantum. Os filmes de ZnO e os pontos do quantum dos CD foram preparados usando técnicas ultrassônicas do depósito da pirólise do pulverizador em uma fração do custo do CVD e engasgando métodos.
Óxidos condutores transparentes (TCO)
Dióxido da lata (SnO2)
Óxido da lata do índio (ITO)
Óxido de zinco (ZnO) como nanowires em aplicações de DSC
Nanotubes do carbono (CNT)
Nanowires de prata (AGNW)
Graphene
Revestimentos do antirreflexo (AR)
SiO2
TiO2
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